导读 三星的计算方法可能已经解开了下一代内存的钥匙。通过模拟4,000多种硫族化物材料组合，他们已将范围缩小到18种有希望的候选材料，用于现实...
三星的计算方法可能已经解开了下一代内存的钥匙。通过模拟4,000多种硫族化物材料组合，他们已将范围缩小到18种有希望的候选材料，用于现实世界的仅选择器内存(SOM)技术测试。
三星正采用一种巧妙的方法，推动仅选择器内存(SOM)技术的开发：他们使用先进的计算模型来锁定下一代内存的最佳硫族化物材料。他们的研究团队研究了4,000多种不同的材料组合，并将其缩小到18种似乎有望进行实际测试的材料组合。
SOM技术可能是内存设计的一大飞跃，它结合了两方面的优点：它既具有闪存的非易失性优势，又保持了DRAM的速度。它使用硫族化物材料作为存储单元和选择器，不再需要更常见的相变或电阻式RAM设置中需要的单独晶体管。
该团队使用复杂的模拟来检查键合特性、材料在高温下的稳定性以及它们的电气性能。他们重点关注阈值电压漂移的程度以及内存窗口的稳定性，这基本上意味着它如何很好地保持彼此不同的开启和关闭状态。
三星将于今年12月在旧金山举行的国际电子设备会议上公布这些发现。他们相信，这种计算方法可能让他们找到传统实验室测试可能遗漏的高性能材料。
这一切都建立在三星在IEDM2023上的早期工作的基础上，他们在会上展示了基于64GbitOTS的SOM，该SOM具有微小的16nm存储单元。