导读 今天，TrendForce揭示了高带宽内存 (HBM) 技术和HBM4 的未来 ，特别是 HBM4，预计将于 2026 年首次亮相。这项即将推出的技术有望将...
今天，TrendForce揭示了高带宽内存 (HBM) 技术和HBM4 的未来 ，特别是 HBM4，预计将于 2026 年首次亮相。这项即将推出的技术有望将其接口扩展到 2048 位，并大幅改变架构。TrendForce 声称 HBM4 将显着偏离传统标准化 DRAM 技术，转向更加定制化的解决方案。
HBM4 将率先在其基础芯片中使用 12 纳米逻辑工艺技术，现在将由代工厂而非 DRAM 制造商制造。这一开发将是代工厂和内存供应商之间的合作努力，这本质上意味着一种共生关系，以推进高速内存技术。HBM4 提高的性能和增强的功能集专为满足 AMD、Nvidia 和 Intel 等主要行业参与者对未来人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 处理器的需求而量身定制。
TrendForce 指出，HBM4 市场向定制化的转变是一个重要方面。这偏离了商品 DRAM 的传统标准化方法，标志着行业的重大转变。买家越来越多地寻求定制规格，并探索创新选项，例如 将 HBM 直接堆叠在片上系统 (SoC) 之上。
这种定制趋势预计将为 HBM 行业带来新的设计和定价策略。随着内存技术变得更加专业化并针对特定需求进行定制，它为新的 HBM 技术时代铺平了道路，该时代的特点是创新、专业化和摆脱当今一刀切的方法。HBM4 及更高版本的这种演变表明了高速内存技术的动态和快速发展的前景。
HBM4 的另一个突出特点是从当前的 12 层 (12Hi) 堆栈过渡到更先进的 16 层 (16Hi) 堆栈，从而增加了内存模块容量。这一转变预计将于 2027 年完成，需要使用新的混合键合技术来增加层数，同时保持内存堆栈的完整性。