导读 光电探测器和神经形态视觉传感器是两种典型的光电器件，在光学信息的传感和处理中发挥着重要作用。光电探测器具有快速的光响应和高灵敏度，...
光电探测器和神经形态视觉传感器是两种典型的光电器件，在光学信息的传感和处理中发挥着重要作用。光电探测器具有快速的光响应和高灵敏度，使其适用于光学传感、通信和成像系统。神经形态视觉传感器可以感知、存储和处理光信号。
将光电探测器和神经形态视觉传感器集成到一个可根据应用场景进行切换的器件中，无疑将提高集成度并拓宽光电器件的应用领域。
最近，副教授。中国科学院金属研究所张兴来教授和硕士生冯思宇及其同事研制出沟槽桥接GaN/Ga2O3/GaN异质结阵列器件。通过操纵Ga2O3中氧空位的电离和去离子过程，该器件分别在低电压和高电压下表现出挥发性和非挥发性光电流。
换句话说，只需调整工作电压即可在单个设备上切换光电探测器和神经形态视觉传感器的角色。
该研究于10月9日发表在《AdvancedMaterials》上。
当在低电压下用作光电探测器时，该器件表现出快速的光响应速度和高响应度，可实现光控逻辑电路、光子成像和光通信等复杂功能。
作为高电压下的神经形态视觉传感器，该设备能够模拟神经元/突触功能，包括配对脉冲促进、从短期可塑性到长期可塑性的转变、学习体验行为和图像记忆。
此外，利用该装置进行图像预处理，提高了图像的识别精度和效率。
这项研究提供了一种新颖的方法，可以在单个设备上实现光电探测器和神经形态视觉传感器的高级功能。它展示了开发机器人视觉系统和神经形态计算的前景。