SK海力士宣布开发LPDDR5TDRAM据说这是世界上最快的移动设备内存解决方案

SK海力士宣布开发LPDDR5TDRAM，据说这是世界上最快的移动设备内存解决方案。SK海力士开发出世界上最快的移动DRAMLPDDR5T，性能提升13%，效率更高

新闻稿：SK海力士公司(或“公司”，www.skhynix.com)今天宣布已开发出世界上最快的移动DRAM“LPDDR5T(低功耗双倍数据速率5Turbo)”并向客户提供样品产品。

新产品LPDDR5T以每秒9.6吉比特(Gbps)的数据速率运行，比2022年11月推出的上一代LPDDR5X*快13%。为了突出产品功能的最高速度，SK海力士在标准名称LPDDR5的结尾。

*LPDDR：用于移动设备(包括智能手机和平板电脑)的低功耗DRAM，旨在最大限度地降低功耗并具有低电压操作功能。LPDDR5XDRAM是第7代产品，继承了以1、2、3、4、4X和5结尾的系列。LPDDR5T是SK海力士新开发的版本，是第7代(5X)的升级产品在第8代LPDDR6开发之前。

LPDDR5T在JEDEC(联合电子设备工程委员会)设定的1.01至1.12V超低电压范围内工作，是一款不仅具有最高速度而且具有超低功耗的产品。

SK海力士表示：“在具有8.5Gbps规格的移动DRAMLPDDR5X于2022年11月推向市场后的短短两个月内，该公司将该技术推向了新的极限。”“我们将通过提供满足客户需求的各种存储容量的产品，巩固我们在移动DRAM市场的领导地位。”

SK海力士表示，它为客户提供了16GB多芯片封装的样品，它将多个LPDDR5T芯片组合到一个封装中。打包后的产品每秒可以处理77GB的数据，相当于一秒钟传输十五部FHD(全高清)电影。

SK海力士计划在今年下半年开始量产采用第四代10nm技术1annm的LPDDR5T。

同时，SK海力士在最新产品中再次集成了HKMG(High-KMetalGate)*工艺，使新品发挥出最佳性能，并期待大幅拉开技术差距的LPDDR5T“引领下一代LPDDR6开发之前的市场。”

*HKMG：下一代工艺，在DRAM晶体管内部的绝缘膜中使用具有高介电常数(K)的材料，以防止泄漏电流并提高电容。它在提高速度的同时降低了功耗。2022年11月，SK海力士成为业界首家将该工艺集成到移动DRAM中的公司。

IT行业预测，随着5G智能手机市场的进一步扩大，对具有高级规格的存储芯片的需求将不断增加。在此趋势下，SK海力士预计LPDDR5T的应用将从智能手机扩展到人工智能(AI)、机器学习和增强/虚拟现实(AR/VR)。

“随着LPDDR5T的开发，公司满足了客户对超高性能产品的需求，”SK海力士DRAM产品规划主管SungsooRyu表示。“我们将继续致力于技术开发，引领下一代半导体市场，成为IT世界的游戏规则改变者。”